恒铭达（002947）5月26日晚间公告，公司基于发展战略规划，拟向远山新材料科技有限公司增资4900万元，其中2177.56万元计入注册资本，剩余2722.44万元计入资本公积。本次交易完成后，公司将持有标的公司8.9253%股权。

公告显示，本次投资已于2026年5月25日经公司第四届董事会第七次会议审议通过。根据相关规定，该事项在董事会决策权限内，无需提交股东大会审议。本次对外投资不构成关联交易，亦不构成重大资产重组。远山新材料科技有限公司成立于2017年10月，注册资本2.222亿元，注册地址位于山东省济宁市高新区，是一家具备氮化镓(GaN)外延材料与芯片制造自主生产能力的第三代半导体（885908）企业。其核心技术源自日本知名第三代半导体（885908）专家河合弘治，河合与日本诺贝尔物理学奖获得者天野浩为多年研发合作伙伴，曾共同开发氮化镓前沿技术与产品并发表署名论文。

公司主营蓝宝石基中高压氮化镓(GaN)外延材料、功率器件及功率模块的研发、生产与销售，重点布局1200V-3000V的高压氮化镓(GaN)极化超级结(PSJ)功率器件，产品可应用于算力服务器电源、新能源（850101）车、光伏储能（885921）、机器人等工业级场景。

本次对远山新材的参股布局，也使公司得以切入第三代半导体（885908）GaN芯片赛道，同步开启AI服务器电源业务的拓展。依托远山新材在GaN芯片与器件上的底层技术能力，叠加公司在精密加工制造端的交付实力，未来可进一步向AI服务器功率模组、电源模块等高附加值产品延伸，并借助已积累的国内外头部大客户资源，推动AI电源新产品进入核心供应链，在功率半导体（881121）市场打开新增量空间。

根据爱建证券2025年11月研报，全球GaN半导体（881121）器件市场规模呈高速增长态势，2019-2028年复合增长率或将达到92.3%。弗若斯特沙利文数据显示，2024年市场规模约32.28亿元(同比增长83.4%)，预计2028年将攀升至501.42亿元。作为第三代宽禁带半导体（881121）代表，GaN具备宽带隙、低导通电阻、高电子迁移率等综合优势，虽热导性、热氧化性能弱于硅和碳化硅，但在数据中心、电动汽车等高压场景可实现低损耗运行，支撑其在多领域快速渗透。从应用结构看，GaN半导体（881121）器件覆盖消费电子（881124）、电动汽车、可再生能源（850101）与工业、数据中心等领域。(王珞)